Tower Semiconductor kündigte eine Investition von 3 Milliarden US-Dollar an, um seine Chipfertigungskapazitäten in Japan zu erweitern, einschließlich eines Zuschusses von 1 Milliarde US-Dollar von der japanischen Regierung. Die erste Phase des Projekts wird sich darauf konzentrieren, die Kapazität für 300-mm-Silizium-photonische Geräte erheblich zu erhöhen, wobei die volle Produktion bis zum vierten Quartal 2027 erwartet wird. Diese Phase umfasst die Umwandlung der bestehenden Fab 6-Anlage zur Unterstützung von 300-mm-Silizium-photonischen Geräten und fortschrittlicher Verpackung. Gleichzeitig wird die zweite Phase beginnen, die den Bau einer neuen 300-mm-Lithografie-Fabrik neben dem Standort Fab 7 beinhaltet.