SK Hynix hat am 18. Juni die Verteilung seiner Speichermuster der nächsten Generation HBM4E an wichtige Kunden begonnen. Der 12-lagige gestapelte DRAM ist für Anwendungen der künstlichen Intelligenz (KI) entwickelt und bietet eine maximale Pin-Geschwindigkeit von 16 Gbps. Diese neue Speichertechnologie bietet eine um über 20 % verbesserte Energieeffizienz und verbessert damit erheblich die Datenverarbeitungskapazitäten, die für KI-Training und Inferenzaufgaben entscheidend sind.
SK Hynix bringt HBM4E-Speichermuster für KI-Anwendungen auf den Markt
Haftungsausschluss: Die auf Phemex News bereitgestellten Inhalte dienen nur zu Informationszwecken.Wir garantieren nicht die Qualität, Genauigkeit oder Vollständigkeit der Informationen aus Drittquellen.Die Inhalte auf dieser Seite stellen keine Finanz- oder Anlageberatung dar.Wir empfehlen dringend, eigene Recherchen durchzuführen und einen qualifizierten Finanzberater zu konsultieren, bevor Sie Anlageentscheidungen treffen.