Roundhill Investments hat den weltweit ersten reinen Memory-Halbleiter-ETF mit dem Ticker $DRAM aufgelegt, der seinen ersten Handelstag bei 27,76 $ schloss und nach Börsenschluss um 5 % auf 29,15 $ stieg. Der ETF, der stark auf Micron, Samsung Electronics und SK Hynix konzentriert ist, hat eine Debatte über sein Timing als potenzielles Verkaufssignal für Memory-Aktien ausgelöst. BTIG warnt, dass die Einführung thematischer ETFs oft mit Markthochs zusammenfällt und verweist auf frühere Beispiele wie den MEME-ETF und den Bitcoin-Futures-ETF.
Trotz des optimistischen Ausblicks für den Memory-Sektor mit Prognosen für ein erhebliches Wachstum in den DRAM- und HBM-Märkten bleiben Bedenken hinsichtlich des Timings des ETFs bestehen. Der Memory-Sektor hat im vergangenen Jahr einen Anstieg von 350 % verzeichnet, was Fragen darüber aufwirft, ob die aktuellen Preise nachhaltig sind. Analysten warnen, dass, obwohl die Fundamentaldaten der Branche stark sind, die Einführung des ETFs auf einen Höhepunkt der Marktstimmung hinweisen könnte und raten Anlegern, vorsichtig gegenüber möglichen Korrekturen zu sein.
Erster reiner DRAM-ETF startet trotz Bedenken hinsichtlich des Markttimings
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