Tower Semiconductor đã công bố khoản đầu tư 3 tỷ USD nhằm nâng cao năng lực sản xuất chip tại Nhật Bản, bao gồm khoản trợ cấp 1 tỷ USD từ chính phủ Nhật Bản. Giai đoạn đầu tiên của dự án sẽ tập trung vào việc tăng đáng kể công suất cho các thiết bị quang điện silicon 300 mm, với dự kiến sản xuất đầy đủ vào quý 4 năm 2027. Giai đoạn này bao gồm việc chuyển đổi cơ sở Fab 6 hiện có để hỗ trợ các thiết bị quang điện silicon 300 mm và đóng gói tiên tiến. Đồng thời, giai đoạn thứ hai sẽ bắt đầu, bao gồm việc xây dựng một nhà máy quang khắc 300 mm mới liền kề với khu vực Fab 7.