SK하이닉스는 6월 18일 발표한 바와 같이 차세대 HBM4E 메모리 샘플의 주요 고객사 배포를 시작했습니다. 12층으로 적층된 이 DRAM은 인공지능(AI) 애플리케이션을 위해 설계되었으며, 최대 핀 속도는 16Gbps에 달합니다. 이 새로운 메모리 기술은 에너지 효율이 20% 이상 향상되어 AI 학습 및 추론 작업에 필수적인 데이터 처리 능력을 크게 강화합니다.