A Tower Semiconductor anunciou um investimento de 3 bilhões de dólares para aprimorar suas capacidades de fabricação de chips no Japão, incluindo uma subvenção de 1 bilhão de dólares do governo japonês. A primeira fase do projeto se concentrará em aumentar significativamente a capacidade para dispositivos fotônicos de silício de 300 mm, com a produção total prevista para o quarto trimestre de 2027. Essa fase envolve a conversão da instalação existente Fab 6 para suportar dispositivos fotônicos de silício de 300 mm e embalagens avançadas. Simultaneamente, a segunda fase terá início, envolvendo a construção de uma nova fábrica de litografia de 300 mm adjacente ao local da Fab 7.