A Tesla anunciou que seu próximo chip AI6, com memória LPDDR6, oferecerá um verdadeiro dobro de desempenho em comparação com seu predecessor, o AI5. O chip alcança isso dentro do mesmo tamanho de meio retículo, utilizando a tecnologia de fabricação de 2nm da Samsung no Texas. A versão AI6.5 está programada para melhorar ainda mais o desempenho usando o processo de 2nm da TSMC no Arizona. Ambos os chips destinam aproximadamente metade dos aceleradores de computação AI TRIP para SRAM, aumentando significativamente a largura de banda efetiva da memória para cálculos dentro do cache SRAM.
Chip AI6 da Tesla vai dobrar desempenho com tecnologia 2nm da Samsung
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