테슬라는 LPDDR6 메모리를 탑재한 차세대 AI6 칩이 전작인 AI5에 비해 성능을 진정으로 두 배로 향상시킬 것이라고 발표했습니다. 이 칩은 텍사스에 위치한 삼성의 2nm 제조 기술을 활용하여 동일한 반 레티클 크기 내에서 이를 달성합니다. AI6.5 버전은 애리조나에 있는 TSMC의 2nm 공정을 사용하여 성능을 더욱 향상시킬 예정입니다. 두 칩 모두 TRIP AI 연산 가속기의 약 절반을 SRAM에 할당하여 SRAM 캐시 내 계산에 대한 유효 메모리 대역폭을 크게 향상시킵니다.
테슬라 AI6 칩, 삼성 2nm 기술로 성능 두 배 향상
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