DRAM ETFとは?米国短期国債を約3分の1保有するメモリーファンド
ツール結果の概要
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https://phemex.com/academy/luis-visoso-sandisk-cfo→ 空文字列。リンク除去https://phemex.com/academy/micron-vs-sk-hynix-ai-hbm-memory-stock→ 空文字列。リンク除去https://phemex.com/academy/soxl-usdt-3x-leveraged-etf-futures-trading→ 空文字列。リンク除去
DRAM ETFの基本情報
Roundhill Memory ETFは、Cboe BZXでティッカーDRAMとして取引されるアクティブ運用型ETFです。DRAM、NANDフラッシュ、HBM、ハードディスク関連企業などに投資し、2026年4月2日に取引を開始しました。PhemexではDRAM-USDT無期限先物が掲載されています。
- 取引所・ティッカー:Cboe BZX、DRAM、CUSIP 77926X320
- Phemex商品:DRAM-USDT無期限先物、最大レバレッジ10倍、資金調達時刻はUTC 00:00・08:00・16:00
- 純資産:2026年6月30日時点で25,910,762,039ドル
- 構造:アクティブ運用、指数非連動、非分散型、経費率0.65%
- 2026年9月4日終値:59.69ドル。前日比6.61%上昇
- 取引開始来の終値レンジ:27.76~80.72ドル
ファンドの仕組み
目論見書上の「メモリー企業」は、HBM、DRAM、NANDフラッシュ、SSD、NORフラッシュ、ハードディスク、特殊・組み込みメモリーなどから、売上または利益の少なくとも50%を得る企業です。純資産の少なくとも80%を対象企業の株式またはデリバティブへのエクスポージャーに配分します。
SEC提出のForm 497Kでは、80%テストにおいてスワップとフォワードを市場価値ではなく想定元本で評価します。保有比率は修正時価総額に基づき、1社あたり25%を上限とします。経費率は0.65%で、1万ドルの投資について初年度68ドルという例が示されています。
主な保有内容
2026年6月30日時点の主な項目は次のとおりです。
| 項目 | 純資産比率 | 種類 |
|---|---|---|
| 米国財務省短期証券 | 21.39% | 債券 |
| SK hynix | 15.89% | 株式 |
| Samsung Electronics | 14.37% | 株式 |
| First American Government Obligations Fund | 14.17% | 政府系マネーマーケット |
| SanDisk | 5.21% | 株式 |
| Kioxia | 4.36% | 株式 |
| Western Digital | 4.30% | 株式 |
| Seagate Technology | 4.19% | 株式 |
| GigaDevice Semiconductor | 3.07% | 株式 |
| Micron Technology | 2.03% | 株式 |
株式だけを表示するスクリーナーでは、デリバティブによる実質的なエクスポージャーが反映されない場合があります。
Micronの実質的なエクスポージャー
4件のトータルリターンスワップの想定元本は合計110.3億ドルで、純資産の42.55%に相当します。内訳は、MicronがNomura Securities International向け37.2億ドル、Goldman Sachs & Co.向け24.4億ドル、Samsungが27.6億ドル、SK hynixが21.0億ドルです。
株式保有とスワップの想定元本を合わせると、実質的な比率はMicron約25.8%、Samsung約25.0%、SK hynix約24.0%、SanDisk約5.2%となります。数値は提出資料に基づくもので、将来の成果を示すものではありません。
なぜ米国財務省短期証券を保有するのか
米国財務省短期証券と政府系マネーマーケットファンドを合わせると、2026年6月30日時点で純資産の35.56%でした。これらはスワップ取引を支える担保として機能します。また、規制投資会社に求められる分散要件との関係で、トータルリターンスワップが利用されています。そのため、株式・スワップ・担保を別々に集計すると、掲載比率の合計が100%を超えることがあります。
DRAM関連商品の値動きとリスク
DRAMはPC、スマートフォン、サーバーで使われる揮発性メモリーで、供給サイクルによって価格が変動します。NANDフラッシュは電源を切ってもデータを保持する記憶装置です。HBMはAIアクセラレーター向けに積層されたDRAMで、SK hynix、Samsung、Micronが主要供給企業です。
主なリスクは、3社に実質エクスポージャーが集中していること、スワップ相手方の信用・履行リスク、日々の資金調達コスト、地政学的リスク、レバレッジ型商品の複利効果です。日次リセット型の2倍・3倍商品は、複数日の値動きが単純に2倍・3倍になるものではありません。DRAMの運用実績も開始から約5か月で、長期的な実績とはいえません。
FAQ
DRAM ETFはMicronを保有していますか?
はい。株式としての比率は2.03%ですが、2件のMicronスワップにより、想定元本ベースの実質比率は約25.8%です。
比率の合計が100%を超えるのはなぜですか?
株式保有とスワップによるエクスポージャーを合算する一方、スワップの担保である短期国債を別項目として表示するためです。
DRAMとRAM ETFは同じ商品ですか?
異なる商品です。DRAMはRoundhill Memory ETF、RAMはRoundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETFです。
経費率はいくらですか?
0.65%です。目論見書では、1万ドルの保有に対して初年度68ドルという例が示されています。
まとめ
提出資料から見ると、DRAMはメモリー企業への投資に加え、Micron、Samsung、SK hynixへのスワップ・エクスポージャーと、その担保となる政府系資産を組み合わせた非分散型ETFです。投資判断にあたっては、最新の目論見書、N-PORT、価格情報、スワップ想定元本、資金調達コストを確認する必要があります。
本記事は情報提供のみを目的としており、金融または投資に関する助言ではありません。暗号資産取引には大きなリスクが伴います。取引を検討する前に、ご自身で十分に調査してください。
