Tower Semiconductor a annoncé un investissement de 3 milliards de dollars pour renforcer ses capacités de fabrication de puces au Japon, incluant une subvention d'un milliard de dollars du gouvernement japonais. La première phase du projet se concentrera sur une augmentation significative de la capacité pour les dispositifs photoniques en silicium de 300 mm, avec une production complète prévue d'ici le quatrième trimestre 2027. Cette phase implique la conversion de l'installation existante Fab 6 pour supporter les dispositifs photoniques en silicium de 300 mm et l'emballage avancé. Parallèlement, la deuxième phase débutera, impliquant la construction d'une nouvelle usine de lithographie de 300 mm adjacente au site Fab 7.