Tesla a annoncé que sa prochaine puce AI6, équipée de mémoire LPDDR6, offrira un doublement réel des performances par rapport à son prédécesseur, l'AI5. La puce atteint cet objectif tout en conservant la même taille de demi-réticule grâce à l'utilisation de la technologie de fabrication 2 nm de Samsung au Texas. La version AI6.5 devrait encore améliorer les performances en utilisant le procédé 2 nm de TSMC en Arizona. Les deux puces allouent environ la moitié des accélérateurs de calcul AI TRIP à la SRAM, ce qui augmente considérablement la bande passante mémoire effective pour les calculs au sein du cache SRAM.
La puce Tesla AI6 va doubler ses performances grâce à la technologie 2 nm de Samsung
Avertissement : Le contenu proposé sur Phemex News est à titre informatif uniquement. Nous ne garantissons pas la qualité, l'exactitude ou l'exhaustivité des informations provenant d'articles tiers. Ce contenu ne constitue pas un conseil financier ou d'investissement. Nous vous recommandons vivement d'effectuer vos propres recherches et de consulter un conseiller financier qualifié avant toute décision d'investissement.
