Tower Semiconductor anunció una inversión de 3 mil millones de dólares para mejorar sus capacidades de fabricación de chips en Japón, incluyendo una subvención de 1 mil millones de dólares del gobierno japonés. La primera fase del proyecto se centrará en aumentar significativamente la capacidad para dispositivos fotónicos de silicio de 300 mm, con la producción completa prevista para el cuarto trimestre de 2027. Esta fase implica la conversión de la instalación existente Fab 6 para soportar dispositivos fotónicos de silicio de 300 mm y empaquetado avanzado. Paralelamente, comenzará la segunda fase, que incluye la construcción de una nueva fábrica de litografía de 300 mm junto al sitio Fab 7.