SK Hynix ha comenzado la distribución de sus muestras de memoria HBM4E de próxima generación a clientes clave, según anunció el 18 de junio. El DRAM apilado de 12 capas está diseñado para aplicaciones de inteligencia artificial (IA), con una velocidad máxima de pin de 16 Gbps. Esta nueva tecnología de memoria ofrece más del 20% de mejora en la eficiencia energética, mejorando significativamente las capacidades de procesamiento de datos cruciales para las tareas de entrenamiento e inferencia de IA.