Компания Tower Semiconductor объявила о вложении 3 миллиардов долларов для расширения своих возможностей по производству микросхем в Японии, включая грант в размере 1 миллиарда долларов от японского правительства. Первый этап проекта будет сосредоточен на значительном увеличении мощности по производству 300-мм кремниевых фотонных устройств, при этом полное производство ожидается к четвертому кварталу 2027 года. Этот этап включает преобразование существующего предприятия Fab 6 для поддержки 300-мм кремниевых фотонных устройств и передовой упаковки. Одновременно начнется второй этап, включающий строительство нового литографического предприятия на 300 мм рядом с площадкой Fab 7.