Рынок хранения данных переживает значительный бум, вызванный взрывным спросом на приложения искусственного интеллекта, особенно на память с высокой пропускной способностью (HBM), используемую в AI GPU. Спрос на выводы ИИ резко вырос и теперь составляет 66% вычислительных мощностей ИИ, что изменило прежнее доминирование обучения. Этот сдвиг привел к критическому узкому месту в пропускной способности и емкости HBM, что необходимо для эффективного вывода ИИ. Крупные игроки, такие как Samsung, SK Hynix и Micron, находятся в авангарде производства HBM, но сложный производственный процесс и высокий спрос привели к серьезным ограничениям поставок. Производство HBM требует значительных мощностей по обработке пластин, что влияет на поставки традиционной DRAM и NAND. Несмотря на усилия по расширению мощностей, цикл строительства новых полупроводниковых фабрик длится 2-3 года, что означает, что дефицит поставок сохранится как минимум до 2027 года. Текущий суперцикл на рынке микросхем памяти характеризуется беспрецедентным спросом и низкими уровнями запасов, при этом Goldman Sachs прогнозирует дефицит поставок DRAM в размере 4,9% в 2026 году. Этот дисбаланс приводит к значительному росту цен и долгосрочным соглашениям о поставках, поскольку производители отдают приоритет производству HBM с высокой маржой по сравнению с традиционными продуктами памяти.