O Roundhill Memory ETF, negociado sob o código DRAM, alcançou um marco significativo ao atrair mais de US$ 200 milhões em compras líquidas de varejo em apenas 27 dias úteis desde seu lançamento em 2 de abril de 2025. Isso marca o lançamento mais rápido de um ETF temático a atingir esse marco desde 2020. O fundo, que foca em memória de alta largura de banda (HBM) crucial para a construção de servidores de IA, teve um retorno aproximado de 88% desde sua criação. A estratégia de investimento concentrada do DRAM mira empresas que fabricam componentes de memória, com a SK Hynix detendo a maior posição, representando 27,4% do peso do fundo. Outras participações importantes incluem Micron Technology, Samsung Electronics e SanDisk. O rápido crescimento do ETF impulsionou seus ativos sob gestão para cerca de US$ 6 bilhões, tornando-o um dos lançamentos de ETF mais bem-sucedidos dos últimos anos. No entanto, seu portfólio concentrado e a forte participação de investidores de varejo apresentam riscos potenciais devido à natureza cíclica do mercado de semicondutores de memória e à volatilidade do comportamento dos investidores de varejo.