L'ETF Roundhill Memory, négocié sous le symbole DRAM, a atteint une étape importante en attirant plus de 200 millions de dollars d'achats nets de détail en seulement 27 jours de bourse depuis son lancement le 2 avril 2025. Cela marque le lancement d'ETF thématique le plus rapide à atteindre ce jalon depuis 2020. Le fonds, qui se concentre sur la mémoire à haute bande passante (HBM) cruciale pour la construction de serveurs d'IA, a généré un rendement d'environ 88 % depuis sa création. La stratégie d'investissement concentrée de DRAM cible les entreprises fabriquant des composants mémoire, SK Hynix détenant la plus grande position avec 27,4 % du poids du fonds. Parmi les autres principales participations figurent Micron Technology, Samsung Electronics et SanDisk. La croissance rapide de l'ETF a porté ses actifs sous gestion à environ 6 milliards de dollars, en faisant l'un des lancements d'ETF les plus réussis de ces dernières années. Cependant, son portefeuille concentré et sa forte détention par des investisseurs particuliers présentent des risques potentiels en raison de la nature cyclique du marché des semi-conducteurs mémoire et de la volatilité du comportement des investisseurs particuliers.