El ETF Roundhill Memory, que cotiza bajo el símbolo DRAM, ha alcanzado un hito significativo al atraer más de 200 millones de dólares en compras netas minoristas en tan solo 27 días hábiles desde su lanzamiento el 2 de abril de 2025. Esto marca el lanzamiento de ETF temático más rápido en alcanzar este hito desde 2020. El fondo, que se centra en la memoria de alta capacidad (HBM) crucial para la construcción de servidores de IA, ha tenido un rendimiento aproximado del 88% desde su inicio. La estrategia de inversión concentrada de DRAM apunta a empresas que fabrican componentes de memoria, con SK Hynix manteniendo la posición más grande con un 27,4% del peso del fondo. Otras participaciones importantes incluyen Micron Technology, Samsung Electronics y SanDisk. El rápido crecimiento del ETF ha impulsado sus activos bajo gestión a alrededor de 6 mil millones de dólares, convirtiéndolo en uno de los lanzamientos de ETF más exitosos en los últimos años. Sin embargo, su cartera concentrada y la alta participación minorista presentan riesgos potenciales debido a la naturaleza cíclica del mercado de semiconductores de memoria y la volatilidad del comportamiento de los inversores minoristas.