Der Roundhill Memory ETF, der unter dem Ticker DRAM gehandelt wird, hat einen bedeutenden Meilenstein erreicht, indem er innerhalb von nur 27 Handelstagen seit seiner Einführung am 2. April 2025 über 200 Millionen US-Dollar an Netto-Käufen von Privatanlegern verzeichnete. Dies ist der schnellste thematische ETF-Start, der diesen Meilenstein seit 2020 erreicht hat. Der Fonds, der sich auf Hochbandbreitenspeicher (HBM) konzentriert, der für den Aufbau von KI-Servern entscheidend ist, hat seit seiner Auflegung eine Rendite von etwa 88 % erzielt. Die konzentrierte Anlagestrategie von DRAM richtet sich auf Unternehmen, die Speicherkomponenten herstellen, wobei SK Hynix mit einem Anteil von 27,4 % das größte Gewicht im Fonds hält. Weitere bedeutende Beteiligungen sind Micron Technology, Samsung Electronics und SanDisk. Das schnelle Wachstum des ETFs hat sein verwaltetes Vermögen auf rund 6 Milliarden US-Dollar steigen lassen, was ihn zu einem der erfolgreichsten ETF-Starts der letzten Jahre macht. Allerdings bergen das konzentrierte Portfolio und die starke Beteiligung von Privatanlegern potenzielle Risiken aufgrund der zyklischen Natur des Speichersektor-Halbleitermarktes und der Volatilität des Verhaltens von Privatanlegern.